Samsung Galaxy S25 gali įveikti iPhone 16 Pro dėl naujo Qualcomm Snapdragon 8 Gen 4 mikroschemų rinkinio

0

„Qualcomm“ planuoja pristatyti „Snapdragon 8 Gen 4“ mikroschemų rinkinį per „Snapdragon Summit“ renginį šių metų spalį. Jis gali būti naudojamas būsimoje „Samsung Galaxy S25“ serijoje.

Šis ilgai lauktas mikroschemų rinkinys žada gerokai pagerinti našumą, palyginti su jo pirmtaku „Snapdragon 8 Gen 3“, kuris jau naudojamas „Galaxy S24 Ultra“.

Naujausi duomenys rodo, kad „Snapdragon 8 Gen 4“ gali pasiekti 3500 vieno branduolio rezultatų „Geekbench“ lyginamajame teste, o tai yra ženklus pagerėjimas, palyginti su „Snapdragon 8 Gen 3“ pasiektu 2100 rezultatu.

Samsung Galaxy S25 gali įveikti iPhone 16 Pro dėl naujo Qualcomm Snapdragon 8 Gen 4 mikroschemų rinkinio

Šis naujas patobulinimas patraukė dėmesį, ypač lyginant su „Apple“ A18 mikroschemų rinkiniu, kuris, remiantis nutekėjusiais duomenimis, tame pačiame teste surinko 3 300 taškų ir, kaip tikimasi, bus naudojamas „iPhone 16 Pro“.

Remiantis naujais duomenimis, „Snapdragon 8 Gen 4“ lustas gali būti ne tik geresnis už „Apple A18“, bet ir pranokti jį našumu ir grafikos galimybėmis.

Jei ši informacija pasitvirtins, naujieji „Galaxy S25“ serijos išmanieji telefonai savo specifikacijomis gali pralenkti „iPhone 16 Pro“ liniją.

Viena iš pagrindinių „Snapdragon 8 Gen 4“ savybių yra jo branduolių dažnis.

Procesorius turės „Oryon“ branduolius, kurie veiks 4,3 GHz dažniu, o tai bus naujas standartas mobiliojo ryšio pramonėje.

Didelio našumo „Pheonix“ branduoliai veiks 3,8 GHz dažniu.

Tačiau nerimą kelia mikroschemų rinkinio energijos suvartojimas esant 1,3 V įtampai, dėl kurio gali kilti tokių problemų kaip perkaitimas ir šilumos valdymas.

„Snapdragon 8 Gen 4“ bus pirmasis „Qualcomm“ mikroschemų rinkinys, kuriame bus naudojamas pažangus 3 nm (N3E) gamybos procesas.

TAVO KOMENTARAS:

įveskite savo komentarą!
įveskite savo vardą čia